近日,兆易创新宣布推出GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash,该系列以其突破性的读取速度和创新的坏块管理(BBM)功能,可有效解决传统SPI NAND Flash响应速度慢、易受坏块干扰的行业痛点。作为一种巧妙融合了NOR Flash高速读取优势与NAND Flash大容量、低成本优势的新型解决方案,GD5F1GM9系列的面世将为SPI NAND Flash带来新的发展机遇,成为安防、工业、IoT等快速启动应用场景的理想之选。GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash采用24n
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兆易创新 Flash NAND
AI推论快速成长,QLC NAND Flash成为企业级储存解决方案的新宠。 相较于传统的TLC NAND,QLC具备更高存储密度与更低成本,适合以读取为主的AI推论工作负载。 法人分析,台厂如群联、威刚、宇瞻等存储器模组厂,有望从中受惠。根据调研机构预测,2025年QLC NAND产能将达250.48亿Gb,占NAND总产能的22.2%,渗透率逐步提升。AI推论服务器主要负责分析以及处理大量数据,而这类应用访问模式以读取为主,写入频率相对较低,正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存储密度
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AI推理 QLC NAND Flash
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布推出专为1.2V SoC应用打造的双电压供电SPI NOR Flash产品——GD25NE系列。该系列产品无需借助外部升压电路即可与下一代1.2V SoC实现无缝兼容,此产品的面世将进一步强化兆易创新在双电压供电闪存解决方案领域的战略布局。凭借更高的性能和更低的功耗,GD25NE系列可充分满足市场对于先进嵌入式存储解决方案日益增长的需求,成为智能可穿戴设备、医疗健康、物联网、数据中心及边缘人工智能应用的理想选择。GD25NE系列SPI NOR
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兆易创新 SPI NOR Flash
NAND Flash控制芯片厂慧荣科技总经理苟嘉章预期,NAND Flash市况将于6月好转,下半年表现将优于上半年,甚至不排除供应吃紧的可能性。苟嘉章指出,2025年第一季NAND Flash虽小幅下跌,但供应商已开始坚守价格,避免市场陷入低迷行情。他强调,供应商根据市场状况自然调节供给,是NAND Flash供需好转的主因之一,2025年NAND Flash位元供给,估计将增加上看20%。美国商务部对出口至中国大陆的存储器制造设备实施管制,也将延缓中国大陆厂商在DRAM领域的扩张步伐。尽管中国大陆部分
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash
根据TrendForce集邦咨询最新研究报告指出,NAND
Flash产业2025年持续面临需求疲弱、供给过剩的双重压力。在此背景下,除了Micron(美光)率先宣布减产,Kioxia/
SanDisk(铠侠/闪迪)、Samsung(三星)和SK hynix/
Solidigm(SK海力士/思得)也启动相关计划,可能长期内加快供应商整合步伐。TrendForce集邦咨询表示,NAND Flash厂商主要通过降低2025年稼动率和延后制程升级等方式达成减产目的,背后受以下因素驱动:第一,需求疲软
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NAND Flash 减产 TrendForce 集邦咨询
很多嵌入式硬件设备都集成了OTA功能,以便产品量产后可以通过远程OTA等方式下载的APP应用程序。在使用带有OTA功能的固件之前,其实还需要提前下载BootLoader程序,才能进一步下载APP程序,今天就来说说通过OTA方式升级固件时,几种Flash(闪存)划分方式。独立型
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嵌入式 OTA FLASH
根据TrendForce集邦咨询最新调查,2024年第三季NAND Flash产业出货量位元季减2%,但平均销售单价(ASP)上涨7%,带动产业整体营收达176亿美元,季增4.8%。TrendForce集邦咨询表示,不同应用领域的NAND
Flash价格走势在今年第三季出现分化,企业级SSD需求强劲,推升价格季增近15%,消费级SSD价格虽有小幅上涨,但订单需求较前一季衰退。智能手机用产品因中国手机品牌严守低库存策略,订单大量减少,第三季合约价几乎与上季持平。Wafer受零售市场需求疲软影响,合约价反
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NAND Flash 企业级SSD TrendForce 集邦咨询
业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash获得由国际公认的测试、检验和认证机构SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽车功能安全认证证书。这一成就不仅有力印证了GD25/55全系列车规级SPI NOR Flash在严苛汽车应用场景中的卓越安全性能和可靠性,也进一步巩固了公司在SPI NOR Flash领域的领导地位。随着汽车电子电气组件数量的指数级增长,其安全性需求日益凸显。ISO 26262作为国际权威汽车功能
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兆易创新 SPI NOR Flash
根据TrendForce集邦咨询最新调查,由于Server(服务器)终端库存调整接近尾声,加上AI推动了大容量存储产品需求,2024年第二季NAND
Flash(闪存)价格持续上涨,但因为PC和智能手机厂商库存偏高,导致第二季NAND
Flash位元出货量季减1%,平均销售单价上涨了15%,总营收达167.96亿美元,较前一季增长了14.2%。第二季起所有NAND
Flash供应商已恢复盈利状态,并计划在第三季扩大产能,以满足AI和服务器的强劲需求,但由于PC和智能手机今年上半年市场表现不佳,
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TrendForce 集邦咨询 NAND Flash AI SSD
IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨询今天下午发布报告指出,由于服务器终端库存调整接近尾声,加上 AI 推动了大容量存储产品需求,今年第二季度 NAND Flash(闪存)价格持续上涨。但由于 PC 和智能手机厂商库存偏高,导致 Q2 NAND Flash 位元出货量环比下降 1%,平均销售单价上涨了 15%,总营收达 167.96 亿美元(IT之家备注:当前约 1193.37 亿元人民币),较前一季实现环比增长 14.2%。各厂商营收情况如下:三星:第二季时积极回应客户对
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内存 NAND Flash
第八代BiCS FLASH已然投入量产,意味着基于BiCS FLASH的产品也将得到新一轮升级。全新的BiCS FLASH无论在存储密度、性能都有了显著提升,特别是2Tb QLC NAND是当下业界内最大容量的存储器。为了让第八代BiCS FLASH突破存储限制,铠侠通过专有工艺和创新架构,实现了存储芯片的纵向和横向缩放平衡,所开发的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外围电路直接键合到存储阵列)和3.6Gbps接口速度,给AI应用、数据中心、移动设备提供了更多潜在可能。技
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BiCS FLASH 闪存 flash 铠侠
Lam Research 推出低温蚀刻新技术,为 1000 层 3D NAND 铺平道路。
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NAND Flash
《科创板日报》4日讯,铠侠产线稼动率据悉已在6月回升至100%水准、且将在7月内量产最先进存储芯片(NAND
Flash)产品,借此开拓因生成式AI普及而急增的数据存储需求。据悉,铠侠将开始量产的NAND
Flash产品堆叠218层数据存储元件,和现行产品相比,存储容量提高约50%,写入数据时所需的电力缩减约30%。 (MoneyDJ)
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铠侠 NAND Flash
三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的研究
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三星 NAND Flash
据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND
Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
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DRAM NAND Flash TrendForce
spi nor flash介绍
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