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全双工，同步传输的SPI通讯原理是如何工作的?
- SPI概念SPI（Serial Peripheral interface, 串行外设接口）是微处理控制单元(MCU)和外围IC（如传感器、ADC、DAC、驱动芯片和外部存储设备等）之间进行通信的同步串行端口，其通信速率一般可以从几千bps到几百Mbps甚至更高, 具体的SPI通信速率取决于主设备和从设备的规格和性能，以及他们之间的协商和支持能力。Source：An Introduction to SPI Communications ProtocolSPI是一种全双工，同步，主从式接口，涉及两个主要角色：
- 关键字： SPI
群联3月营收年增73%，创历史单月新高纪录
- 近日，存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果，合并营收为新台币67.75亿元，年成长达73%，刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元，年成长达64%，为历史同期次高。群联表示，2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%，其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%，刷新历史单月新高。此外，全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率（Bit Growth Rate）也达80%，刷新历史同期新高，显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
- 关键字： 群联 SSD固态硬盘 NAND Flash
3D NAND，1000层竞争加速
- 据国外媒体Xtech Nikkei报道，日本存储芯片巨头铠侠（Kioxia）首席技术官（CTO）Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布，该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知，在所有的电子产品中，NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展，以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨，堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后，NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
- 关键字： NAND Flash 存储芯片 铠侠
第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高
- TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面，中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源，由于部分供应商已降低供应此类别产品，中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案，助益中国模组厂技术进一步升级及
- 关键字： TrendForce NAND Flash Enterprise SSD
西部数据NAND Flash业务拆分最新进展，新任CEO揭晓
- 月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时，将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称，现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。图片来源：西部数据西部数据与铠侠合并进展如何？据悉，自2021年以来，西部数据及
- 关键字： 闪存芯片 NAND Flash 西部数据
浅谈因电迁移引发的半导体失效
- 前言半导体产品老化是一个自然现象，在电子应用中，基于环境、自然等因素，半导体在经过一段时间连续工作之后，其功能会逐渐丧失，这被称为功能失效。半导体功能失效主要包括：腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中，电迁移引发的失效机理最为突出。技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Wolfe Yu在此对这一现象进行了分析。 1、 背景从20世纪初期第一个电子管诞生以来，电子产品与人类的联系越来越紧密，特别是进入21世纪以来，随着集成电路的飞速发展，人们对电子产品的需求也变得愈加丰富。随着电子
- 关键字： 电迁移 半导体失效 世健 Microchip Flash FPGA
一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%
- 供应商为了尽量减少损失，正在推高 NAND Flash 价格。
- 关键字： NAND Flash
闪存芯片将掀起新一轮涨价潮
- 2023 下半年，以 DRAM 和 NAND Flash 为代表的存储器报价逐步止跌回升。近期，NOR Flash 也呈现出明显的回暖态势，供应链人士透露，2024 年 1 月，预计 NOR Flash 价格将上涨 5%，并保持上涨态势，到第二季度，涨幅将达到 10%。过去几年，随着整个半导体市场的变化，NOR Flash 的供需和价格也是起起落落。2018 年，NOR Flash 市场需求较为疲软，而供货商的产能却在持续提升，导致当年的价格进入下行周期。经过一年的低迷期后，NOR Flash 价格在 2
- 关键字： NOR Flash
预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%
- 据TrendForce集邦咨询研究显示，尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势，但为避免缺货，买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位，而供应商为减少亏损，对于推高价格势在必行，预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是，NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅，但由于短期内涨幅过高，需求脚步却跟不上，后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一，随着部份供应商产能利用率提早拉升
- 关键字： NAND Flash TrendForce
DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资：三星增加 25%、SK 海力士增加 100%
- IT之家 12 月 21 日消息，根据韩媒 ETNews 报道，三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元（IT之家备注：当前约 1482.3 亿元人民币），比 2023 年投资预算增加 25%；而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元（当前约 290.97 亿元人民币），比今年的投资额增长 100%。报道中指出，三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外，还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
- 关键字： 存储 DRAM NAND Flash
集邦咨询称 2024Q1 手机 DRAM、eMMC / UFS 均价环比增长 18-23%
- IT之家 12 月 20 日消息，集邦咨询近日发布报告，预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash（eMMC / UFS）环比增长 18-23%，而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健，由于存储器价格涨势明确，带动买方积极扩大购货需求，以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低，加上原厂减产效应作用，这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
- 关键字： 存储 DRAM NAND Flash
明年半导体暴增20%，哪些赛道市场回暖？
- 今年的半导体可谓寒风瑟瑟，市场下滑的消息从年头传到年尾，半导体企业也疲于应对萧瑟的市场环境，不断传出减产、亏损的消息。熬过冬就是春，最近的半导体市场总算是迎来了一些好消息。IDC 最新的预测，认为半导体市场已经触底，明年开始半导体将会加速恢复增长。在它的预测中，2023 年全球半导体市场收入从 5188 亿美元上调至 5265 亿美元，2024 年收入预期也从 6259 亿美元上调至 6328 亿美元。到明年，全球半导体收入将同比增长 20.2%。IDC 全球半导体供应链技术情报研究经理 Rudy Tor
- 关键字： NAND flash 射频前端 CPU 模拟芯片
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